[스크랩] 반도체회로 선폭 1나노까지 줄여…연세대 염한웅 교수팀

반도체회로 선폭 1나노까지 줄여…연세대 염한웅 교수팀

매일경제 | 기사입력 2008.04.02 19:35 | 최종수정 2008.04.02 19:35

국내 연구진이 반도체 전자회로 위 금속선 폭을 1nm(10억분의 1m)까지 줄이는 기술을 개발했다.

특히 이 제어기술은 금속 나노선을 실리콘 기판 위에 대량으로 구현한 최초 사례라는 점에서 향후 반도체 집적도를 획기적으로 높이는 원천기술로 활용될 것으로 기대된다.

연세대 원자선원자막연구단 염한웅 교수팀은 2일 "현재 개발된 초고직접 실리콘 반도체 금속선에 비해 50분의 1 수준인 폭 1㎚짜리 나노선을 실리콘 기판 위에 대량으로 만들어냈다"며 "이를 소자에 응용할 수 있도록 불순물을 첨가하고 농도를 조절하는 등 전기적 특성을 제어하는 도핑기술을 적용했다"고 설명했다.

이번 연구 성과는 물리학 분야 세계 최고 권위지인 '피지컬 리뷰 레터스' 3월 28일자에 게재됐고, 4월 9일자에도 연속으로 게재될 예정이다.

실리콘기판 위에 원자 1~3개 크기에 불과한 1~2㎚ 폭 나노선을 만드는 기술은 1999년 염 교수팀과 스위스 바젤대 연구진이 각각 개발한 바 있다.

하지만 지난 10여 년간 물리학계에서 큰 관심을 끌면서도 물성 조절을 위한 도핑기술을 확보하지 못해 산업기술로 이용되지 못하고 있었다.

염한웅 교수는 "실리콘기판 위에 금 원자를 2열로 정렬해 폭 1㎚짜리 나노선을 만든 뒤 그 위에 실리콘 원자를 첨가하고 농도를 조절하는 기술을 개발했다"며 "이 성과는 한국 반도체산업이 국제 경쟁력을 유지하고 차세대 반도체소자 개발 경쟁에서 유리한 위치를 선점하는 데 도움이 될 것"이라고 설명했다.

[김은표 기자 / 김제관 기자]

출처 : 학성산의 행복찾기

글쓴이 : 학성산 원글보기

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